[发明专利]一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺

摘要

本发明涉及一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺。本发明在P型体区离子注入之后采用高能硼离子使用接触孔光刻版掩膜注入在P型体区内形成P+区埋层结构，多晶硅栅极结构制备之后采用较低能量的砷离子进行自对准注入在P+区埋层上侧形成N+源区，然后淀积BPSG介质层，采用接触孔光刻版掩膜形成接触孔并对硅进行过刻蚀形成浅槽，穿通N+源区并进入到P+区内，形成U型的P+区。本发明减小了寄生NPN晶体管的基极长度，从而降低了基极电阻，因而增大了寄生NPN晶体管开启的难度，提高了功率器件的雪崩能量；只需要P柱光刻版、P型体区光刻版、多晶硅栅光刻版、接触孔光刻版和金属光刻版等五张光刻版，大大降低了工艺制作成本。

主权项

一种浅槽源电极结构超结器件的制作工艺，其特征在于：通过以下步骤实现：（1）、在N+衬底上生长N外延层，然后深槽刻蚀并深槽外延填充形成P柱；（2）、利用P型体区光刻版掩膜使用较低能量的硼离子注入并高温推结形成P型体区；（3）、在形成P型体区之后采用高能硼离子使用接触孔光刻版掩膜注入在P型体区内形成P+区埋层结构；（4）、通过干氧工艺制作致密的栅氧化层、多晶硅淀积并利用多晶硅光刻版掩膜刻蚀得到多晶硅栅结构；（5）、高浓度的砷离子采用多晶硅栅结构自对准注入，形成N+源区；（6）、在多晶硅栅结构表面淀积BPSG介质层，在950℃氮气氛围下回流30分钟，并使用接触孔光刻版掩膜对BPSG介质层刻蚀及硅外延层的过刻蚀形成浅槽；（7）、整个器件的上表面淀积一层铝，并利用金属光刻版掩膜刻蚀铝形成源电极和栅电极，钝化，背面金属化形成漏电极。