[发明专利]去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法有效
| 申请号： | 201210292492.7 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103592827A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 胡春周 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法，包括步骤：在半导体衬底上依次形成保护层、掩膜层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层以定义离子注入区域并暴露部分所述掩膜层；湿法去除所述暴露的掩膜层；对所述衬底执行离子注入；进一步湿法去除位于保护层和所述光刻胶层之间的掩膜层以暴露所述光刻胶层的内部区域；湿法去除所述光刻胶层。本发明可以在一个湿刻蚀步骤中把受到高剂量离子注入的光刻胶通过其内部区域把之彻底去除，由于省略了现有技术中在含氧气氛中灰化的步骤，所以不会对晶片造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 剂量 离子 注入 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法，包括步骤：a)在半导体衬底上依次形成保护层、掩膜层和光刻胶层；b)图案化所述光刻胶层以定义离子注入区域并暴露部分所述掩膜层；c)湿法去除所述暴露的掩膜层；d)对所述衬底执行离子注入；e)进一步湿法去除位于保护层和所述光刻胶层之间的掩膜层以暴露所述光刻胶层的内部区域；f)湿法去除所述光刻胶层。
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