[发明专利]去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法

权利要求书

1.一种去除高剂量离子注入后的光刻胶层的方法，包括步骤：

a)在半导体衬底上依次形成保护层、掩膜层和光刻胶层；

b)图案化所述光刻胶层以定义离子注入区域并暴露部分所述掩膜层；

c)湿法去除所述暴露的掩膜层；

d)对所述衬底执行离子注入；

e)进一步湿法去除位于保护层和所述光刻胶层之间的掩膜层以暴露所述光刻胶层的内部区域；

f)湿法去除所述光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用氮化物形成所述保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述形成的保护层具有厚度10-20埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用氧化物形成所述掩膜层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述形成掩膜层的方法是LTCVD。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述形成的掩膜层具有厚度200-300埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用DHF执行步骤c)和步骤e)中掩膜层的湿法去除。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于步骤c)中使用100:1DHF。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于步骤e)中使用300:1DHF，反应时间为40秒。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用SPM执行步骤f)中光刻胶层的湿法去除，反应温度为125摄氏度。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在步骤f)之后，湿法去除所述掩膜层和所述保护层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于使用H3PO4执行步骤f)之后掩膜层的湿法去除，反应温度为160摄氏度。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于使用DHF执行所述步 骤f)之后保护层的湿法去除。

14.根据权利要求1或11所述的方法，其特征在于所述湿法去除在同一个湿制程机台中进行。