[发明专利]铜溅射靶材料和溅射法无效
| 申请号： | 201210284852.9 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102816996A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 外木达也;辰巳宪之;井坂功一;本谷胜利;小田仓正美 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件（成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等），就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明涉及的用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 材料 | ||
【主权项】：
一种用于TFT的铜膜，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面为（111）面，所述其它晶体取向面包括（200）面、（220）面和（311）面，所述用于TFT的铜膜是使用相对于所述（111）面、所述（200）面、所述（220）面和所述（311）面的总和，所述（111）面的占有率为15%以上的铜溅射靶材料而形成的拉伸残留应力为120N/mm2以下的铜膜。
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