[发明专利]磁性物质检测传感器和磁性物质检测装置有效
申请号: | 201210281433.X | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN102819001A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 铃木成己 | 申请(专利权)人: | 佳能电子株式会社 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明目的在于提供一种磁性物质检测传感器和磁性物质检测装置,即使在磁体的附近,其也允许高灵敏度磁场检测元件有效地操作;其允许定量的检测,而不依赖于介质(例如软磁材料等)的磁特性;其是紧凑的并且允许实现减小的空间;并且其具有高生产率。此外,本发明目的在于提供一种紧凑和高性能的磁性物质检测装置。具体地说,在磁性物质检测传感器中包括:产生磁场的磁体;以及磁场检测元件,其用于检测所述磁场的变化,所述磁场检测元件被部署于在除了所述磁体的NS轴中点之外的点处在与所述磁体NS轴相交的平面上,其中所述磁体的NS方向作为法线,从而所述磁场检测方向变得平行于所述平面,以及由所述磁体形成偏置磁场。 | ||
搜索关键词: | 磁性 物质 检测 传感器 装置 | ||
【主权项】:
一种磁性物质检测传感器,包括:偏置磁体,产生偏置磁场;以及磁场检测元件,用于检测所述偏置磁场的变化,其中所述磁场检测元件被部署在平面上在所述偏置磁体的N极与S极之间的所述偏置磁体的侧面,以及其中所述平面在除了所述偏置磁体的NS轴的中点以外的点处与所述偏置磁体的NS轴相交,从而所述偏置磁体的NS方向是所述平面的法线,并且磁场检测方向与所述平面平行。
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