[发明专利]磁性物质检测传感器和磁性物质检测装置有效
| 申请号： | 201210281433.X | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102819001A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 铃木成己 | 申请（专利权）人： | 佳能电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 物质 检测 传感器 装置 | ||
1.一种磁性物质检测传感器，包括：
偏置磁体，产生偏置磁场；以及
磁场检测元件，用于检测所述偏置磁场的变化，
其中所述磁场检测元件被部署在平面上在所述偏置磁体的N极与S极之间的所述偏置磁体的侧面，以及
其中所述平面在除了所述偏置磁体的NS轴的中点以外的点处与所述偏置磁体的NS轴相交，从而所述偏置磁体的NS方向是所述平面的法线，并且磁场检测方向与所述平面平行。
2.如权利要求1所述的磁性物质检测传感器，其中，所述磁场检测元件具有磁性薄膜，并且所述磁场检测方向平行于所述磁性薄膜的膜表面。
3.一种磁性物质检测线传感器，包括：
多个偏置磁体，产生偏置磁场并且按预定的间隔以直线方式被布置；以及
多个磁场检测元件，用于检测所述偏置磁场的变化并且按预定的间隔以直线方式被布置，使得所述多个磁场检测元件与多个偏置磁体一一对应，
其中所述磁场检测元件被部署在相同平面上在所述偏置磁体的N极与S极之间的所述偏置磁体的侧面，以及
其中所述相同平面在除了所述偏置磁体的NS轴的中点以外的点处与所述偏置磁体的NS轴相交，从而所述偏置磁体的NS方向是所述平面的法线，并且磁场检测方向与所述平面平行。
4.一种磁性物质检测装置，包括：
用于承载介质的构件；以及
如权利要求3所述的磁性物质检测线传感器。
5.一种磁性物质检测传感器，包括：
偏置磁体，产生偏置磁场；以及
单个磁场检测元件，用于检测所述偏置磁场的变化，
其中所述磁场检测元件被部署在所述偏置磁体周围并且在除了所述偏置磁体的N极与S极之间的中点以外的点处的所述偏置磁体的NS轴方向的旁边。
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