[发明专利]一种多晶硅太阳能电池的磷扩散方法有效
申请号: | 201210280345.8 | 申请日: | 2012-08-08 |
公开(公告)号: | CN102810599A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 张凤;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅太阳能电池的磷扩散方法,包括如下步骤:(1)将待处理的多晶硅片的正面整面生长含磷掺杂剂;(2)将上述多晶硅片放入扩散炉中,以1~10℃/min的升温速率升温至880~930℃;(3)保持上述温度,通入携磷源氮气、干氧和大氮进行扩散;(4)以1~10℃/min的降温速率降温至800~850℃;(5)降温,完成扩散过程。本发明采用正面整面生长含磷掺杂剂的方法,实现了吸杂、去除了多晶硅片的红边的目的;试验证明,相比现有的磷扩散方法,采用本发明的扩散方法制得的电池片的光电转换效率提升了0.2%,取得了意想不到的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 太阳能电池 扩散 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 将待处理的多晶硅片的正面整面生长含磷掺杂剂;(2) 将上述多晶硅片放入扩散炉中,以1~10℃/min的升温速率升温至880~930℃,升温的同时通入携磷源氮气、干氧和大氮,所述携磷源氮气的流量为0~2 L/min,干氧的流量为0.5~2 L/min,大氮的流量为10~30 L/min;(3) 保持步骤(2)中的温度,通入携磷源氮气、干氧和大氮进行扩散,扩散时间为20~50 min;所述携磷源氮气的流量为0~2 L/min,干氧的流量为0.5~2 L/min,大氮的流量为10~30 L/min;(4) 以1~10℃/min的降温速率降温至800~850℃,降温的同时通入氧气和氮气;其中氧气的流量为1~10 L/min,氮气的流量为10~30 L/min;(5) 降温,出舟,完成扩散过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的