[发明专利]一种通过金膜退火制备金纳米颗粒的方法无效
| 申请号： | 201210270560.X | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102806354A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张彤;郭新立;朱圣清;林梦娜;王洋洋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B22F9/02 | 分类号： | B22F9/02;C23C14/58;C23C14/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过金膜退火制备金纳米颗粒的方法，该方法包括如下步骤：采用磁控溅射或真空蒸镀方法在基底材料（1）上沉积金纳米薄膜（2），磁控溅射腔体或真空蒸镀室真空度为10-3-10-4Pa，沉积的金纳米薄膜（2）膜厚为5-20纳米；然后把沉积金纳米薄膜（2）和基底材料（1）整体置于退火炉中加热30-120分钟，加热温度为350-600ºC，冷却至室温，在基底材料（1）上形成金纳米颗粒（3）。本发明通过控制金膜膜厚、退火温度、退火时间等参数可得到大小和形貌不同的金纳米粒子，该方法具有制备简单，纳米颗粒尺寸形貌可控，制备效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 退火 制备 纳米 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种通过金膜退火制备金纳米颗粒的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：采用磁控溅射或真空蒸镀方法在基底材料（1）上沉积金纳米薄膜（2），磁控溅射腔体或真空蒸镀室真空度为10‑3‑10‑4Pa，沉积的金纳米薄膜（2）膜厚为5‑20纳米；然后把沉积金纳米薄膜（2）和基底材料（1）整体置于退火炉中加热30‑120分钟，加热温度为350‑600℃，冷却至室温，在基底材料（1）上形成金纳米颗粒（3）。
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