[发明专利]一种EEPROM存储单元的制造方法

摘要

本发明公开了一种EEPROM存储单元的制造方法，在场氧形成后，直接生长高压氧化层,在隧道区域光刻定义隧道区窗口，以高压氧化层作为隧道区离子注入的阻挡层进行离子注入，然后进行自对准的隧道区窗口湿法刻蚀,然后生长隧道氧化层。由于高压氧化层经离子注入后蚀刻率会相对较快，并且湿法蚀刻各向同性的影响相对减小，所以本发明的EEPROM存储单元的制造方法可改善隧道区窗口的图形更圆滑，制造的EPROM存储单元可靠性高。同时本发明的EEPROM存储单元的制造方法，以隧道区窗口处的高压氧化层作为隧道区离子注入的隔离层离子注入的阻挡层，使隧道区窗口经过一次光刻就能形成，工艺流程简单，生产成本低。

主权项

一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在P型硅衬底上形成场氧；二.在场氧间的P型硅衬底上生长一层高压氧化层；三．通过光刻胶在高压氧化层上定义隧道区窗口；四.在定义的隧道区窗口下的P型硅衬底注入N型离子；五.湿法刻蚀，去除遂道区窗口的高压氧化层；六.去除光刻胶，在硅片上生长遂道氧化层；七.进行离子活化，隧道区窗口周边的P型硅衬底形成遂道区；八.在遂道氧化层上形成多晶硅浮栅，多晶硅浮栅位于遂道区窗口到遂道区左侧的P型硅衬底上方；九.在多晶硅浮栅上面及侧面形成控制栅介质层；十.在硅片上依次淀积控制栅多晶硅层、WSi层；十一.光刻刻蚀后进行N型离子注入，形成存储晶体管的源区、扩散区、选择晶体管的漏区；存储晶体管的源区形成在控制栅介质层左侧的P型硅衬底中并与遂道区隔离，扩散区形成在控制栅介质层右侧的P型硅衬底中并与隧道区右部连通；十二.进行后续工艺，形成EEPROM存储单元。