[发明专利]一种粘污太阳能硅片的清洗方法无效
申请号: | 201210261242.7 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102744230A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 吴志军;井辰龙;余小金;郜勇军 | 申请(专利权)人: | 浙江矽盛电子有限公司 |
主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B3/08 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 林蜀 |
地址: | 324300 浙江省衢*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种粘污太阳能硅片的清洗方法,该方法是将硅片放入水中,并在水中按质量百分比加入1~1.5%的清洗液和0.1~0.3%的氢氧化钠,然后将该溶液加热到45~55℃,再采用超声波清洗硅片5~10分钟;接着,将硅片放在质量百分比浓度为1~2%的柠檬酸溶液中漂洗5~10分钟;最后用纯水超声溢流清洗硅片若干道即可。采用本发明,可以极大地提高粘污太阳能硅片的清洗效果,达到提高太阳能硅片清洗合格率的目的;据实践表明,太阳能硅片的清洗合格率由原来的98%提高到99.99%。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种粘污太阳能硅片的清洗方法,其特征在于将硅片放入水中,并在水中按质量百分比加入1~1.5%的清洗液和0.1~0.3%的氢氧化钠,然后将该溶液加热到45~55℃,再采用超声波清洗硅片5~10分钟;接着,将硅片放在质量百分比浓度为1~2%的柠檬酸溶液中漂洗5~10分钟;最后用纯水超声溢流清洗硅片若干道即可。
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