[发明专利]鳍部、鳍式场效应管及鳍部和鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201210254002.4 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103578988A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;三重野文健;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍部、鳍式场效应管及鳍部、鳍式场效应管的形成方法，鳍部的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出衬底；以包含若干第一开口的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，形成若干凹槽；在所述凹槽内填充隔离层；沿第一开口对掩膜层进行回刻，增大第一开口的宽度，在所述掩膜层内形成若干第二开口；以掩膜层为掩模，沿第二开口刻蚀所述隔离层，使隔离层剩余预定厚度，所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部；刻蚀第一子鳍部上方的衬底，形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部。本发明鳍部、鳍式场效应管及其形成方法提高了鳍式场效应管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层，所述第一开口暴露出衬底；以包含若干第一开口的掩膜层为掩模，刻蚀所述衬底，形成若干凹槽；在所述凹槽内填充隔离层；沿第一开口对掩膜层进行回刻，增大第一开口的宽度，在所述掩膜层内形成若干第二开口；以掩膜层为掩模，沿第二开口刻蚀所述隔离层，使隔离层剩余预定厚度，所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部；刻蚀第一子鳍部上方的衬底，形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部，所述第二子鳍部侧壁与第一子鳍部表面的夹角为第一角度，所述第三子鳍部侧壁与第二子鳍部表面的夹角为第二角度，所述第一子鳍部、第二子鳍部和第三子鳍部构成鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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