[发明专利]一种载流子存储的沟槽双极型晶体管无效
| 申请号： | 201210248667.4 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102779847A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;李巍;赵起越;夏小军;李长安;张金平;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上，在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域，从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度，在有效减小IGBT导通压降的同时却不影响器件的耐压值和关断特性，从而可以更好的改善导通损耗和关断损耗的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 存储 沟槽 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，其元胞结构包括金属栅电极（1），有源发射极（2），金属集电极（3），N+有源区（4），P+体区（5），P‑base区（6），N载流子储存层（7），栅介质层（8），N‑漂移区（9），N+电场截止层（10），P+发射区（11）和多晶硅栅（12）；从下层往上层依次是金属集电极（3）、P+发射区（11）、N+电场截止层（10）、N‑漂移区（9）、N载流子储存层（7）、P‑base区（6）、P+体区（5）和有源发射极（2）；其中N+有源区（4）位于P‑base区（6）顶部两侧，N+有源区（4）与P+体区（5）相接触，且有源发射极（2）位于N+有源区（4）和P+体区（5）表面；金属栅电极（1）、多晶硅栅（12）和栅介质层（8）共同构成沟槽栅结构，其中金属栅电极（1）位于多晶硅栅（12）表面，多晶硅栅（12）向下穿过P‑base区（6）和N载流子储存层（7）并延伸入N‑漂移区（9），多晶硅栅（12）通过沟槽内壁的栅介质层（8）与N+有源区（4）、P+体区（5）、P‑base区（6）、N载流子储存层（7）和N‑漂移区（9）实现隔离；所述P‑base区（6）底部两侧还分别具有一个与P‑base区（6）、N载流子储存层（7）和栅介质层（8）均接触的N+层结构（21）。
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