[发明专利]CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210245272.9 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789786A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;刘临利;缪向水;刘辉;洪玮;关夏威 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构及其制备方法。材料依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。Ta用于CoPt垂直磁化膜的保护层，作用在于：①Ta元素在溅射沉积及退火中，向CoPt层扩散并向CoPt晶界偏聚，使晶界区成为非磁性区域，改变CoPt磁化反转机制，提高薄膜介质矫顽力。②在热处理过程中，Ta原子向CoPt磁性层扩散，减弱了相邻磁性颗粒间的交换耦合作用，减小介质翻转的噪声，提高了记录位密度。 | ||
| 搜索关键词： | copt ta 垂直 磁化 双层 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构材料，它依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。
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