[发明专利]基于双轴织构金属基带的新型复合隔离层及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210242021.5 申请日: 2012-07-13
公开(公告)号: CN102774074A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 徐达;刘林飞;李贻杰 申请(专利权)人: 上海超导科技股份有限公司
主分类号: B32B15/04 分类号: B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200080 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于双轴织构金属基带的新型复合隔离层及制备方法,采用三层结构,上层为锆酸镧(La2Zr2O7)隔离层,中间层为钇稳定氧化锆(YSZ)隔离层,下层为氧化铈(CeO2)隔离层。本发明用锆酸镧(La2Zr2O7)代替传统CeO2/YSZ/CeO2和CeO2/YSZ/Y2O3三层复合隔离层结构中的CeO2帽子层,并采用射频磁控溅射镀膜技术制备高质量的La2Zr2O7隔离层。该方法具有高的稳定性,重复可靠性及高的沉积速率,其制备得到的La2Zr2O7隔离层致密均匀,与YSZ隔离层结合力强。本发明基于金属基带的La2Zr2O7/YSZ/CeO2复合隔离层具有单一的(00/)取向,高的面内和面外织构,表面光洁度好,适合于在其上外延生长高性能的稀土氧化物超导层。
搜索关键词: 基于 双轴织构 金属 基带 新型 复合 隔离 制备 方法
【主权项】:
一种基于双轴织构金属基带的新型复合隔离层,其特征在于,该复合隔离层采用三层结构,上层为La2Zr2O7隔离层,中间层为YSZ隔离层,下层为CeO2隔离层。
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