[发明专利]使用微波晶体再生长的单晶U-MOS栅极无效
| 申请号： | 201210240872.6 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102881577A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·珀特尔;史蒂夫·萨普 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使用微波晶体再生长的单晶U-MOS栅极。本发明描述半导体装置及用于制作此些装置的方法。UMOS半导体装置含有已在低温度下使用微波再生长或形成的单晶栅极。可通过以下操作来形成所述装置：提供半导体衬底；在所述衬底中形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积预栅极层，所述预栅极层包括具有非单晶结构的导电及/或半导电材料(Si或SiGe)；使所述预栅极层与具有单晶结构的籽晶层接触；及在低温度下使用微波加热所述预栅极层以使所述非单晶结构再结晶成单晶结构。这些过程可改进作为任选地在源极-阱结上面具有硅化物触点的单晶结构的所述栅极的电阻及迁移率，从而实现较高切换速度UMOS装置。本发明还描述其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 微波 晶体 再生 mos 栅极 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体装置中制作单晶栅极结构的方法，其包括：提供半导体衬底；在所述衬底中形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积预栅极层，所述预栅极层包括具有非单晶结构的导电及/或半导电材料；使所述预栅极层与具有单晶结构的籽晶层接触；及在低温度下使用微波加热所述预栅极层以使所述非单晶结构再结晶成单晶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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