[发明专利]直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法有效
| 申请号: | 201210232539.0 | 申请日: | 2012-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN102794281A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
| 发明(设计)人: | 潘永娥;杨正华 | 申请(专利权)人: | 宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
| 地址: | 755100 宁夏回*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法,按照以下具体的操作步骤实施:安装石墨件;分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统;抽真空;加热,包括预热及升温过程,在1000℃之前升温过程中,按照每小时100℃的升温幅度进行,在1000-2000℃升温过程中,按照每小时50℃的升温幅度进行,在2000-2400℃升温过程中,按照每小时30℃的升温幅度进行;将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度;石墨件出炉。本发明的方法,通过将SiC在高温下发生反应,延长石墨件的使用寿命15-30炉,适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。 | ||
| 搜索关键词: | 直拉法单晶炉热场 中的 石墨 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法,其特征在于,按照以下步骤实施:步骤1、安装石墨件将直拉单晶使用后带有碳化硅腐蚀层的石墨件装入高温感应炉中,然后密封合盖;步骤2、分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统控制参数为,全程炉体冷却循环水:20‑25M3/h,全程电源冷却循环水:76‑82M3/h;步骤3、抽真空将高温感应炉内由常压抽真空,炉内压力到20‑100Pa时开始加热高温感应炉;步骤4、加热4.1)预热:高温感应炉中小于100Pa时,在100KW功率下预热10‑15min;4.2)升温:高温感应炉在200KW功率下加热20min,继续在400KW功率下加热20min,最后以600‑650KW的功率加热;4.3)当高温感应炉内温度达到1000℃时恒温1h,恒温时高温感应炉的加热功率为200KW;4.4)恒温完成后,调节加热功率为300‑400KW,将高温感应炉内升温到1500℃;4.5)高温感应炉内温度达到1500℃时恒温1h,恒温时加热功率为230‑240KW;4.6)再调节加热功率为600KW,使高温感应炉内升温到2000℃;4.7)高温感应炉内温度达到2000℃时恒温1h,恒温时加热功率为300KW;4.8)调节高温感应炉功率为600‑650KW,将高温感应炉内升温到2400℃;4.9)高温感应炉内温度达到2400℃时,恒温2‑6h,恒温时加热功率为430‑450KW,真空度稳定不变且小于100Pa时停止加热;步骤5、冷却冷却时保证高温感应炉炉体通冷却水,同时高温感应炉中通氮气作为保护气体,进行降温冷却;用130‑140h,将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80‑100℃的出炉温度;步骤6、石墨件出炉。
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