[发明专利]CMOS栅氧化层的形成方法

摘要

本发明涉及一种CMOS栅氧化层的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括并列的NMOS区和PMOS区，在衬底上形成氧化层，作为后续离子注入的阻挡层；光刻形成NMOS区的第一窗口；进行离子注入在NMOS区的衬底中形成P阱，刻蚀去除第一窗口内的氧化层；在NMOS区的衬底上和PMOS区的氧化层上沉积第一栅氧化层，并用氟气退火；光刻形成PMOS区的第二窗口；进行离子注入在PMOS区的衬底中形成N阱，刻蚀去除第二窗口内的第一栅氧化层和氧化层；在上述结构表面沉积第二栅氧化层。本发明中NMOS的栅氧经氟气退火，降低其衬底和栅氧之间的界面缺陷密度，提高跨导，提高其性能；而PMOS的栅氧未经氟气退火不影响其性能。

主权项

一种CMOS栅氧化层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底包括并列的NMOS区和PMOS区，在所述衬底上形成氧化层，所述氧化层作为后续离子注入的阻挡层；在氧化层上形成第一掩膜层，图形化第一掩膜层至暴露出NMOS区的氧化层；对暴露出的NMOS区的氧化层进行离子注入以在NMOS区的衬底中形成P阱区，刻蚀去除NMOS区的氧化层以暴露出NMOS区的衬底，去除第一掩膜层；在NMOS区的衬底上和PMOS区的氧化层上沉积第一栅氧化层，并采用氟气进行退火；在氧化层上形成第二掩膜层，图形化第二掩膜层至暴露出PMOS区的氧化层；对暴露出的PMOS区的氧化层进行离子注入以在PMOS区的衬底中形成P阱区，刻蚀去除PMOS区的第一栅氧化层和氧化层以暴露出PMOS区的衬底，去除第二掩膜层；在NMOS区的第一栅氧化层上和PMOS区的衬底上沉积第二栅氧化层，所述NMOS区的栅氧化层包括第二栅氧化层和第一栅氧化层，所述PMOS区的栅氧化层包括第二栅氧化层。