[发明专利]一种溅射靶材工艺及溅射工艺有效
| 申请号： | 201210225797.6 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103114271A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 胡彬彬;陈建维;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种溅射靶材工艺及溅射工艺。本发明提出一种溅射靶材工艺及溅射工艺，通过对传统平板靶材进行预变形处理，有效的解决了传统平板靶材在溅射工艺中由于受力变形而造成对溅射的均一性及填孔性的影响，进而提供产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 工艺 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材工艺，其特征在于，对一平板靶材进行向上的预变形处理后形成预变形靶材，采用所述预变形靶材进行溅射工艺；其中，所述预变形靶材的下部端面为弧状凹形面。
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