[发明专利]一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构无效

专利信息
申请号: 201210219867.7 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN102744925A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 陆强;杨旭东;章卫祖;邓容 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B27/38
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本发明专利公开了一种基于真空镀膜的圆感应同步器屏蔽层结构。圆感应同步器的定转子由基板、绝缘层和绕组组成,为了屏蔽电磁干扰,提高测角精度,在转子表面需镀屏蔽层。屏蔽层的传统结构是铝箔屏蔽层,但在热真空环境下铝箔屏蔽层鼓泡,导致定转子绕组接触造成短路。本发明专利是将环氧树脂层和真空镀膜层构成屏蔽层,能够解决屏蔽层在热真空环境下鼓泡的缺点,具有较高的可靠性。
搜索关键词: 一种 基于 真空镀膜 感应 同步器 屏蔽 结构
【主权项】:
一种圆感应同步器屏蔽层结构,它由环氧树脂层(2)和真空镀膜层组成,其特征在于:所述的屏蔽层结构为在转子绕组(1)上依次为环氧树脂层(2)、氧化硅绝缘层(3)、铝膜(4)和氧化硅保护层(5),其中:所述的环氧树脂层(2)的厚度在0.08mm以内;所述的真空镀膜层由氧化硅绝缘层(3)、铝膜(4)和氧化硅保护层(5)构成,厚度均为0.001mm~0.003mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210219867.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top