[发明专利]用于原子氧散射角分布及侵蚀率测量的试验系统无效

专利信息
申请号: 201210219864.3 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102706312A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 姜海富;刘向鹏;李涛;孙继鹏;翟睿琼 申请(专利权)人: 北京卫星环境工程研究所
主分类号: G01B21/22 分类号: G01B21/22;G01N5/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种用于原子氧散射角分布及侵蚀率测量的试验系统,其中散射腔体的下端开口设置在叠置于靶台机构上的铝散射板上,SiO2/Kapton薄膜机械固定在散射腔体的上端开口,Kapton薄膜设置在散射腔体内表面,SiO2/Kapton薄膜中心设置有圆孔,设置在散射腔体上方的原子氧发生系统通过上述圆孔向散射腔体内产生原子氧,散射腔体内的SiO2/Kapton薄膜以及Kapton薄膜表面上分别散落设置有不与原子氧反应起保护作用的NaCl颗粒,散射腔体底部的铝散射板对入射原子氧进行不同角度的散射。该试验系统能够为航天器外露材料原子氧环境效应仿真分析模型及软件参数的设定提供依据,通过该试验系统得到的原子氧侵蚀率测量结果为航天器非暴露表面材料的设计及选择奠定了基础。
搜索关键词: 用于 原子 散射 角分布 侵蚀 测量 试验 系统
【主权项】:
一种用于原子氧散射角分布及侵蚀率测量的试验系统,包括靶台机构、铝散射板、两端开口的散射腔体、Kapton薄膜、SiO2/Kapton薄膜以及原子氧发生系统,散射腔体的下端开口设置在叠置于靶台机构上的铝散射板上,Kapton薄膜设置在散射腔体内表面,中心设置有圆孔的SiO2/Kapton薄膜机械固定在散射腔体的上端开口,设置在散射腔体上方的原子氧发生系统通过上述圆孔向散射腔体内产生原子氧,散射腔体内的SiO2/Kapton薄膜表面以及Kapton薄膜表面上分别散落设置有不与原子氧反应起保护作用的NaCl颗粒,散射腔体底部的铝散射板对入射原子氧进行不同角度的散射。
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