[发明专利]光学低通滤波器基片加工工艺

摘要

本发明公开了一种光学低通滤波器基片加工工艺，包括以下工艺步骤定向、磨基准面、切条、切片、粘砣、磨砣、化砣、粗研磨、倒角、细研磨、抛光、清洗、检验。本发明的加工工艺是对晶体基片的微创加工工艺，通过调整线切割张力、进给速度、控制冷却剂流量和温度等一系列措施，达到对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等质量参数的控制，极大地降低了因刀痕、损伤、破损在基片中产生亚损伤层的几率，极大地降低了机械应力和热应力，晶体基片合格率可达98％，远远高于传统加工工艺中80％的合格率。

主权项

一种光学低通滤波器基片加工工艺，包括以下工艺步骤：a.定向采用多向调整夹持器(2)对晶体光轴面(4)进行定向，从而实现X光定向，定向精度控制在25°20′±10′；b.磨基准面将定好向的夹持器放置到平面立磨机上进行基准面研磨，立磨机转速采用1000‑1300转/每分钟，进刀量采用0.05‑0.35mm/每分钟，厚度控制在基片最终尺寸+20μm；c.切条将磨好基准面的晶体块粘在玻璃板(5)上，并在单刀切割机上按照基片尺寸进行切条；d.切片采用线切割机进行切片，采用Φ0.1‑Φ0.35mm钢丝线，磨料采用1200#粒度的绿色碳化硅，进刀速率采用0.05‑0.15mm/每分钟，磨削液温度采用15‑25℃，磨料输送量采用4‑10升/每分钟，损伤层深度控制在0‑10μm；e.粘砣将切割好的晶片排列整齐后，用粘接剂粘接成晶片砣(7)；f.磨砣将晶片砣(7)放入游行轮(9)，在双面研磨机中磨砣，达到基片需求尺寸；g.化砣将晶片砣(7)的粘接剂融化；h.粗研磨将化砣后晶片放入研磨机内进行粗研磨，磨料采用1200#绿碳化硅，粗磨加工量达到每分钟0.01‑0.05mm；i.倒角按照基片要求将粗研磨后晶片的相应角和边进行倒角倒边加工；j.细研磨将倒角倒边后晶片用高纯水清洗10‑20分钟后放入研磨机进行细研磨，磨料采用3000#绿碳化硅，细磨加工量达到每分钟0.005‑0.008mm；k.抛光将细研磨后晶片(10)在高纯水中清洗10‑20分钟后放入抛光机进行抛光，磨料采用8000#氧化铈抛光粉，抛光加工量达到每分钟0.1‑0.3μm；l.清洗将抛光后晶片在超声清洗机内加高纯水清洗60‑90分钟并烘干后，装入无尘盒内；m.检验对加工好的晶片进行检验，合格的作为基片标记入库。