[发明专利]光学低通滤波器基片加工工艺

权利要求书

1.一种光学低通滤波器基片加工工艺，包括以下工艺步骤：

a.定向

采用多向调整夹持器(2)对晶体光轴面(4)进行定向，从而实现X光定向，定向精度控制在25°20′±10′；

b.磨基准面

将定好向的夹持器放置到平面立磨机上进行基准面研磨，立磨机转速采用1000-1300转/每分钟，进刀量采用0.05-0.35mm/每分钟，厚度控制在基片最终尺寸+20μm；

c.切条

将磨好基准面的晶体块粘在玻璃板(5)上，并在单刀切割机上按照基片尺寸进行切条；

d.切片

采用线切割机进行切片，采用Φ0.1-Φ0.35mm钢丝线，磨料采用1200#粒度的绿色碳化硅，进刀速率采用0.05-0.15mm/每分钟，磨削液温度采用15-25℃，磨料输送量采用4-10升/每分钟，损伤层深度控制在0-10μm；

e.粘砣

将切割好的晶片排列整齐后，用粘接剂粘接成晶片砣(7)；

f.磨砣

将晶片砣(7)放入游行轮(9)，在双面研磨机中磨砣，达到基片需求尺寸；

g.化砣

将晶片砣(7)的粘接剂融化；

h.粗研磨

将化砣后晶片放入研磨机内进行粗研磨，磨料采用1200#绿碳化硅，粗磨加工量达到每分钟0.01-0.05mm；

i.倒角

按照基片要求将粗研磨后晶片的相应角和边进行倒角倒边加工；

j.细研磨

将倒角倒边后晶片用高纯水清洗10-20分钟后放入研磨机进行细研磨，磨料采用3000#绿碳化硅，细磨加工量达到每分钟0.005-0.008mm；

k.抛光

将细研磨后晶片(10)在高纯水中清洗10-20分钟后放入抛光机进行抛光，磨料采用8000#氧化铈抛光粉，抛光加工量达到每分钟0.1-0.3μm；

l.清洗

将抛光后晶片在超声清洗机内加高纯水清洗60-90分钟并烘干后，装入无尘盒内；

m.检验

对加工好的晶片进行检验，合格的作为基片标记入库。