[发明专利]MOS器件的建模方法有效
| 申请号： | 201210212516.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102708268A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MOS器件的建模方法，所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构，在漏端包括第二类型的STI结构，该方法包括：a）建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数；b）建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；c）对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试，获得测试数据；d）根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法，简单易行，可操作性强，有较广的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件的建模方法，所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构，在漏端包括第二类型的STI结构，该方法包括：a）建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数；b）建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；c）对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试，获得测试数据；d）根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210212516.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
