[发明专利]籽晶脱胶工艺有效
| 申请号： | 201210210841.6 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102723403A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 马莹;刘春艳;张琪 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种籽晶脱胶工艺，其步骤如下：冲洗切割后的籽晶；然后将籽晶置于添加有表面活性剂的环境下进行超声清洗；再将籽晶放入加有中强酸的70~90℃的热水中进行热水脱胶。上述籽晶脱胶工艺对切割后的籽晶依次进行冲洗、超声清洗、热水脱胶等步骤，其中超声清洗过程中加入表面活性剂，热水脱胶为在加有中强酸的70~90℃的热水中进行，表面活性剂可加速清除籽晶表面的砂浆，同时还防止籽晶表面氧化，中强酸在清洁籽晶表面的同时也有助于脱胶，从而能够对籽晶进行快速脱胶处理，且脱胶后的籽晶表面洁净，无缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 脱胶 工艺 | ||
【主权项】：
一种籽晶脱胶工艺，其特征在于，步骤如下：冲洗切割后的籽晶；然后将籽晶置于添加有表面活性剂的环境下进行超声清洗；再将籽晶放入加有中强酸的70~90℃的热水中进行热水脱胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
