[发明专利]偏置电路

摘要

本发明的偏置电路用于抑制动作晶体管的发射极电压的温度依赖性。将偏置电流Ib经由第一电阻R3、R4和第一晶体管Q7提供给动作晶体管Q8的基极。包括至少一个电流镜电路，与偏置电流Ib相应的对应电流Ib’流过第二晶体管Q3。第三晶体管Q2与第一晶体管共连基极，流过对应电流Ib’，第二电阻R2得到与上述第一电阻R3中的压降对应的压降。第四晶体管Q1在发射极侧接收基准电压Vref，基极与上述第三晶体管Q2的发射极侧相连接。通过第四晶体管Q1的1VBE来抵消动作晶体管Q8的1VBE，通过上述第三晶体管Q2的1VBE来抵消第二晶体管Q7的1VBE，由此在动作晶体管Q8的发射极侧设定基准电压Vref。

主权项

一种动作晶体管的偏置电路，其特征在于，具有：第一电阻，其配置在将偏置电流提供给上述动作晶体管的基极的路径上；第一晶体管，流过该第一电阻的偏置电流流经该第一晶体管；第二晶体管，其包括在电流镜电路中，与上述偏置电流对应的对应电流流经该第二晶体管；第三晶体管，其基极与上述第一晶体管的基极共连，上述对应电流流经该第三晶体管；第二电阻，上述对应电流流经该第二电阻，得到与上述第一电阻中的压降对应的压降；以及第四晶体管，其在发射极侧接收基准电压，该第四晶体管的基极与上述第三晶体管的发射极侧相连接，其中，通过上述第四晶体管的基极发射极间电压来抵消上述动作晶体管的基极发射极间电压，通过上述第三晶体管的基极发射极间电压来抵消上述第二晶体管的基极发射极间电压，由此在上述动作晶体管的发射极侧设定上述基准电压。