[发明专利]偏置电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种将偏置电流提供给动作晶体管的基极的偏置电路。

背景技术

以往，在差动放大器等中，具有如图4所示那样的发射极共连的一对差动晶体管Q51、Q52，该发射极与恒电流电路相连接。而且，信号输入到差动晶体管Q51、Q52，但是该差动晶体管被提供来自偏置电路的偏置电流后能够进行与输入信号相应的动作。

在图4中，具有电源V51、电阻R51、R52，将电源V51的输出电压经由电阻R51、R52提供给差动晶体管Q51、Q52的基极作为偏置电压。

然而，在双极型晶体管中，基极发射极间电压VBE、直流电流放大率hfe等参数具有温度依赖性。因而，当使用如图4那样的偏置电路时，差动晶体管Q51、Q52的发射极电位具有温度依赖性。

专利文献1：日本特开平8-340224号公报

发明内容

发明要解决的问题

在使要求低电压动作的电路、混合电路(MIX)等的动态范围(D-range)比较窄的应用电路在较大的温度范围内进行动作的情况下，需要使动作点(发射极、集电极电位)不具有温度依赖性地确保动态范围。

用于解决问题的方案

本发明是一种偏置电路，使用于动作晶体管，其特征在于，具有：第一电阻，其配置在将偏置电流提供给上述动作晶体管的基极的路径上；第一晶体管，流过该第一电阻的偏置电流流经该第一晶体管；第二晶体管，其包括在电流镜电路中，与上述偏置电流对应的对应电流流经该第二晶体管；第三晶体管，其基极与上述第一晶体管的基极共连，上述对应电流流经该第三晶体管；第二电阻，上述对应电流流经该第二电阻，得到与上述第一电阻中的压降对应的压降；以及第四晶体管，其在发射极侧接收基准电压，该第四晶体管的基极与上述第三晶体管的发射极侧相连接，其中，通过上述第四晶体管的基极发射极间电压来抵消上述动作晶体管的基极发射极间电压，通过上述第三晶体管的基极发射极间电压来抵消上述第二晶体管的基极发射极间电压，由此在上述动作晶体管的发射极侧设定上述基准电压。

另外，优选上述第一电阻配置在上述第一晶体管的发射极与上述动作晶体管的基极之间，上述第二电阻配置在上述第三晶体管的发射极与上述第四晶体管的基极之间。

发明的效果

根据本发明，能够将动作晶体管的发射极电压设定为基准电压，能够抑制发射极电压的温度依赖性。

附图说明

图1是表示实施方式的偏置电路的结构的图。

图2是表示偏置电路的温度特性的图。

图3是表示其它实施方式的偏置电路的结构的图。

图4是表示以往的偏置电路的结构的图。

附图标记说明

CC1~CC3：恒电流电路；Q1~Q15：晶体管；R1~R7：电阻。

具体实施方式

下面，根据附图来说明本发明的实施方式。

图1示出包括实施方式所涉及的偏置电路的电路结构。

NPN型差动晶体管Q8、Q9的发射极共连，该发射极经由恒电流电路CC2与接地端相连接。在此，将差动晶体管Q8、Q9的发射极电压设为Ve。差动晶体管Q8、Q9是差动放大器的一部分，将一对互补信号、即信号Vin_P和信号Vin_N提供给差动晶体管Q8、Q9的基极。而且，分别经由电阻R3、R4将偏置电流提供给该晶体管Q8、Q9的基极。

作为流过电阻R3、R4的电流之和的电流值Ib是在不存在信号Vin_P和信号Vin_N的情况下的差动晶体管Q8、Q9的基极电流(偏置电流)，该电流值Ib基本上是根据电阻R3、R4的电阻值来决定的，设定为差动晶体管Q8、Q9所要求的适当的值(适合于差动放大器的偏置电流值)。

电阻R3、R4的下侧端分别与差动晶体管Q8、Q9相连接，电阻R3、R4的上侧端经由晶体管Q7、Q6与电源VCC相连接。即，PNP晶体管Q6的发射极与VCC相连接，PNP晶体管Q6的集电极与NPN晶体管Q7的集电极相连接，晶体管Q7的发射极与电阻R3、R4的上侧端相连接。

晶体管Q6的集电极与基极间短路，该晶体管Q6的基极与PNP晶体管Q5的基极相连接，该PNP晶体管Q5的发射极与VCC相连接。因而，晶体管Q6与晶体管Q5构成电流镜，与流过晶体管Q6的电流相应的电流(例如同一电流)流过晶体管Q5。