[发明专利]一种纳米场发射电子源及其制备方法有效
| 申请号： | 201210208647.4 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103515169A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李冬松;章健 | 申请（专利权）人： | 上海联影医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 金碎平 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米场发射电子源及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤:a）将纳米材料与模板材料共同混合在溶液中形成一种混合物；b）将所述混合物沉积到基底上，形成纳米场发射阴极；c）通过清洗方法洗去所述纳米场发射阴极中的模板材料,并置于烘箱中干燥,获得三维多孔结构的纳米场发射电子源。本发明方法制得的纳米场发射电子源具有较高粗糙度，高比表面积的三维多孔网状纳米薄膜，以产生更高的有效发射面积，同时增大了整体结构的冗余度，从而大大提高了场发射电子源的耐用度和使用寿命，降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 发射 电子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米场发射电子源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:a）将纳米材料与模板材料共同混合在溶液中形成一种混合物；b）将所述混合物沉积到基底上，形成纳米场发射阴极；c）通过清洗方法洗去所述纳米场发射阴极中的模板材料,并置于烘箱中干燥,获得三维多孔结构的纳米场发射电子源。
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