[发明专利]一种大面积生长氧化锌微米墙的方法有效

专利信息
申请号: 201210205920.8 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN102719886A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 于乃森;杜丽芳;吴云峰;胡丹扬;毛张文;王勇 申请(专利权)人: 大连民族学院
主分类号: C30B19/12 分类号: C30B19/12;C30B29/16;C01G9/02
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 贾汉生;李馨
地址: 116600 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种氧化锌微米墙材料及制备方法,通过在具有裂纹的硅基氮化镓衬底上利用低温水浴法获得了氧化锌微米墙。采用以乙酸锌,六次甲基四胺和去离子水为原料,以具有裂纹的硅基氮化镓为衬底,利用裂纹诱导氧化锌在裂纹处优先成核并通过自组装方式形成微米墙。本发明所采用的方法具有反应条件简单,生长的氧化锌微米墙比表面积大,具有较高的长径比,纯度高,且高度可控。本发明解决了大面积可控生长氧化锌微米墙的低温制备的问题,有望在微电子和微电子光电器件、传感器等领域获得重要应用。所述制备工艺对加热环境没有特殊要求,操作简单易控,重复性强,且原料来源广泛、成本低廉,适合工业化生产。
搜索关键词: 一种 大面积 生长 氧化锌 微米 方法
【主权项】:
一种氧化锌微米墙材料的制备方法,步骤如下:(1)选取具有裂纹的硅基氮化镓衬底,清洗干燥备用;(2)配置生长溶液,按照30~50mM:30~50mM:100ml的比例,分别称取乙酸锌、六次甲基四氨和去离子水,混合并使其充分溶解,其中,乙酸锌、六次甲基四氨的摩尔比为1:1,混合后使其溶解;(3)将步骤(1)获得的具有裂纹的硅基氮化镓衬底置于步骤(2)获得的生长溶液中,升温至90℃后,在该温度下反应30min~90min;(4)反应结束后,取出衬底,并用去离子水冲洗干净,烘干。
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