[发明专利]一种连续生长准单晶晶体的装置有效

专利信息
申请号: 201210205227.0 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN102732950A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 张志强;黄振飞;刘振准 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: C30B15/30 分类号: C30B15/30;C30B15/00
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种连续生长准单晶晶体的装置,具有用于放置硅溶液的坩埚,坩埚上方设置有链式长晶循环装置,链式长晶循环装置包括动力支撑盘和循环链条,循环链条具有籽晶挂载区、生长区,籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离,籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面形成一定角度,籽晶挂载区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度大于生长区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度,生长区内的链条上方设置有冷却器。本发明中晶体和坩埚脱离接触,避免传统石英陶瓷坩埚中金属杂质向晶体内杂质扩散引起的少子寿命降低,提高晶体质量。
搜索关键词: 一种 连续 生长 准单晶 晶体 装置
【主权项】:
一种连续生长准单晶晶体的装置,具有用于放置硅溶液的坩埚,坩埚外壁设置有加热器,其特征在于:所述的坩埚上方设置有链式长晶循环装置,所述的链式长晶循环装置包括动力支撑盘和通过动力支撑盘连接形成的循环链条,所述的循环链条具有可挂载籽晶的籽晶挂载区、生长区,所述的籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面分离,所述的籽晶挂载区内的链条和生长区内的链条均与坩埚内的硅溶液液面形成一定角度,所述的籽晶挂载区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度大于生长区内的链条与坩埚内的硅溶液液面形成的角度,所述的生长区内的链条上方设置有冷却器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210205227.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top