[发明专利]一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210203315.7 申请日: 2012-06-19
公开(公告)号: CN102689928A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 孙军;许京军;李威;杨金凤;张玲;孔勇发;张华 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C01G35/00 分类号: C01G35/00;C30B1/10;C30B29/30
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理,扩散温度为1300~1500℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短,反之越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。
搜索关键词: 一种 化学 计量 钽酸锂 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,其特征在于:将缺锂钽酸锂晶体的一侧与碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到的粒度为0.01mm~0.5mm的富锂多晶粉末A接触,另一侧与碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到的粒度为0.01mm~0.5mm的贫锂多晶粉末B接触,然后将晶体与多晶粉末一起放入坩埚中,将坩埚放入高温炉在1300~1500℃温度下进行高温扩散处理,即可获得近化学计量比钽酸锂晶体。
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