[发明专利]用以确保源和图像稳定性的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201210202367.2 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102841510A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 曹宇;J·C·H·穆肯斯;叶军;V·维拉恩基 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了用以确保源和图像稳定性的系统和方法,其中光刻设备特性的直接测量和晶片量测被结合以通过使用模拟模型来实现光刻设备/过程的时间漂移的减小。模拟模型可以具有子部分。例如,子模型可以表示第一组光学条件,另一子模型可以表示第二组光学条件。第一组光学条件可以是一组标准照射条件,第二组光学条件可以是一组定制照射条件。使用子模型之间的内在关系,可以在不进行晶片量测的情况下较快地实现定制照射条件下的稳定性控制。
搜索关键词: 用以 确保 图像 稳定性 系统 方法
【主权项】:
一种控制光刻过程的稳定性的方法,包括步骤:(a)限定用在光刻模型的光刻过程中的光刻设备的基准性能,其中在第一照射条件下获得限定第一基准性能的光刻模型的第一子模型,在第二照射条件下获得限定第二基准性能的光刻模型的第二子模型,光刻模型包括一个或多个照射源光瞳特性和光刻过程响应参数;(b)通过测量照射源光瞳特性的第一时间漂移数据监测在第一照射条件下光刻设备的照射稳定性,并使用测量的第一时间漂移数据将照射源光瞳特性保持在第一基准性能内或基本上接近第一基准性能;和(c)通过测量光刻过程响应参数的第二时间漂移数据监测在第二照射条件下光刻过程响应稳定性,并使用测量的第二时间漂移数据将光刻过程响应保持在第二基准性能内或基本上接近第二基准性能。
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