[发明专利]用以确保源和图像稳定性的系统和方法

权利要求书

1.一种控制光刻过程的稳定性的方法，包括步骤：

(a)限定用在光刻模型的光刻过程中的光刻设备的基准性能，其中在第一照射条件下获得限定第一基准性能的光刻模型的第一子模型，在第二照射条件下获得限定第二基准性能的光刻模型的第二子模型，光刻模型包括一个或多个照射源光瞳特性和光刻过程响应参数；

(b)通过测量照射源光瞳特性的第一时间漂移数据监测在第一照射条件下光刻设备的照射稳定性，并使用测量的第一时间漂移数据将照射源光瞳特性保持在第一基准性能内或基本上接近第一基准性能；和

(c)通过测量光刻过程响应参数的第二时间漂移数据监测在第二照射条件下光刻过程响应稳定性，并使用测量的第二时间漂移数据将光刻过程响应保持在第二基准性能内或基本上接近第二基准性能。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一照射条件包括下列之一：标准照射条件和定制照射条件。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述标准照射条件包括一个或多个标准照射模式，并且所述定制照射条件包括一个或多个定制照射模式。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过使用照射源光瞳特性的直接测量执行步骤(b)。

5.如权利要求1所述的方法，其中，通过使用晶片量测技术和光刻设备特性测量技术中的一个或两者执行步骤(c)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(b)和(c)包括调节光刻设备的用于执行光刻过程的设置。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述光刻设备的设置包括下列之一或多个：照射源特性、投影光学元件特性、掩模板特性、晶片特性或其任意组合。

8.如权利要求6所述的方法，其中，在步骤(c)中，所述光刻过程响应参数包括指示光刻过程对光刻设备的一个或多个设置的变化的响应的参数。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述光刻过程响应参数包括下列之一或多个：临界尺寸(CD)误差、重叠误差、侧壁角度变化以及最佳聚焦偏离。

10.如权利要求1所述的方法，其中，通过下列之一或多个方法控制照射源光瞳特性：微调照射源强度、微调照射源波长、控制束指向以及微调照射源偏振性。

11.如权利要求1所述的方法，其中，调节投影光学元件特性以确保用于限定照射源的第一基准性能的点源传递交叉系数(TCC)函数的稳定性。

12.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(a)之前，设计或得到多个图案，其中多个图案的第一子组对应第一光刻过程参数的变化，并且多个图案的第二子组对应第二光刻过程参数的变化。

13.如权利要求1所述的方法，其中，通过与已有参照模型匹配或相适应而得出用于基准性能的光刻模型。

14.一种减小光刻过程参数的时间漂移以保持光刻过程中性能稳定性的方法，所述方法包括下列步骤：

(a)限定用在光刻模型的光刻过程中的基准性能，其中在第一光学条件下获得限定第一基准性能的光刻模型的第一子模型，在第二光学条件下获得限定第二基准性能的光刻模型的第二子模型；

(b)在第一光学条件下测量第一光刻过程参数的相对于第一基准性能的第一时间漂移数据；

(c)在第二光学条件下测量第二光刻过程参数的相对于第二基准性能的第二时间漂移数据；和

(d)使用第一和第二子模型的内在关系和所测量的第一和第二时间漂移数据确定在第一和第二光刻过程参数中所需的调节，以将光刻过程保持在限定的基准性能内或基本上接近限定的基准性能，其中第一和第二子模型的内在关系包括将光刻过程响应改变与在第一和第二子模型中的光学条件的改变相关联的数学函数。

15.一种通过将当前光刻过程与参照光刻过程相匹配来控制当前光刻过程的稳定性的方法，所述方法包括步骤：

(a)限定用于光刻模型的参照光刻过程的参照性能，其中在第一照射条件下获得限定第一参照性能的光刻模型的第一子模型，在第二照射条件下获得限定第二参照性能的光刻模型的第二子模型，光刻模型包括光刻过程响应参数和照射源光瞳特性中的一个或多个；

(b)通过测量照射源光瞳特性的第一时间漂移数据来监测在第一照射条件下当前光刻过程中的照射稳定性，并使用测量的第一时间漂移数据将当前照射源光瞳特性保持在第一参照性能内或基本上接近第一参照性能；和

(c)通过测量光刻过程响应参数的第二时间漂移数据来监测在第二照射条件下当前光刻过程中的光刻过程响应稳定性，并使用测量的第二时间漂移数据将当前光刻过程响应保持在第二参照性能内或基本上接近第二参照性能。