[发明专利]用于CMOS图像传感器的对电源压降不敏感电流源电路有效
申请号: | 201210201446.1 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN102789261A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;H04N5/378;H04N5/374 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及微电子学的集成电路设计领域。为提供与电源压降无关的稳定的电流偏置,将其应用在高清CMOS图像传感器中可以提升传感器的特性,本发明采取的技术方案是,用于CMOS图像传感器的对电源压降不敏感电流源电路,包括电容Cn1、电容Cn2、晶体管Mn1、Mn2、Mn3;开关S1、S2;当S1闭合,S2打开时,电容Cn1的上极板连接到参考电源VDD_ref上,下极板连接到晶体管M0的栅极上,Cn2的上极板连接到第n列电流源单元的电源VDD_power上,其下极板连接到晶体管Mn1的栅极上;当S1打开,S2闭合时,电容Cn1和Cn2的位置互换。本发明主要应用于集成电路设计制造。 | ||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 电源 压降不 敏感 电流 电路 | ||
【主权项】:
一种用于CMOS图像传感器的对电源压降不敏感电流源电路,包括由晶体管M0组成的电流镜电路,其特征是,还包括电容Cn1、电容Cn2、晶体管Mn1、Mn2、Mn3;开关S1、S2,开关S1为联动组开关,开关S2也为联动组开关;当S1闭合,S2打开时,电容Cn1的上极板连接到参考电源VDD_ref上,下极板连接到晶体管M0的栅极上,与此同时,Cn2的上极板连接到第n列电流源单元的电源VDD_power上,其下极板连接到晶体管Mn1的栅极上;当S1打开,S2闭合时,电容Cn1和Cn2的位置互换,电容Cn1连接了晶体管Mn1的源极和栅极,电容Cn2连接晶体管M0的源极和栅极;晶体管Mn1源极连接电源VDD_power;晶体管Mn1漏极连接晶体管Mn2源极,晶体管Mn2源极、栅极短接,晶体管Mn2漏极连接地VSS;晶体管Mn2和Mn3构成的电流镜将晶体管Mn1的电流镜像后输出。
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