[发明专利]一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备有效
| 申请号： | 201210197214.3 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103480598B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴甲奇;王振交;陆红艳;孟庆蕾;韩培育;朱海东;陈如龙;杨健 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备。现有硅片清洗技术中硫酸与过氧化氢的质量配比较低会造成绒面硅片的表面疏水性能较差。本发明的用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备先通过浓硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液对硅片进行清洗，其中硫酸和过氧化氢的质量配比为65～170∶1，之后通过去离子水进行清洗，接着通过过氧化氢溶液或硝酸溶液对硅片进行清洗以去除碳残留和部分金属粒子且形成一层氧化膜，并通过去离子水清洗，最后通过盐酸和氢氟酸的混合溶液以去除所述硅片上的氧化膜并通过去离子水进行清洗。本发明可以有效提高硅片的疏水性能，即使清洗后的硅片在去氧化膜后完全脱水。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 高效 太阳电池 硅片 清洗 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a、通过浓硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液对硅片进行清洗，硫酸和过氧化氢的质量配比为65～170∶1，清洗温度为100～125℃，清洗时间为5～30min；b、通过去离子水对所述硅片进行清洗；c、通过过氧化氢溶液或硝酸溶液对硅片进行清洗，所述过氧化氢与水的质量配比为1∶3～10，所述硝酸与水的质量配比为1∶2～5，所述清洗温度为60～80℃，所述清洗时间为5～20min；d、通过去离子水对所述硅片进行清洗；e、通过盐酸和氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，所述盐酸和氢氟酸的质量配比为1～3∶1，所述清洗温度为15～25℃，所述清洗时间为30～90s；f、通过去离子水对所述硅片进行清洗。
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