[发明专利]多孔二氧化硅稳定的贵金属簇荧光材料及其制备方法无效
申请号: | 201210192351.8 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN102676160A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 吕荣文;邹伟 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C09K11/58 | 分类号: | C09K11/58;C09K11/87 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 花向阳 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种多孔二氧化硅稳定的贵金属簇荧光材料及其制备方法,属于纳米复合材料制备技术领域。该荧光材料的制备方法是利用腐蚀的方法将贵金属纳米颗粒腐蚀为贵金属簇,并利用贵金属簇稳定剂对其进行稳定;再利用有机硅酸酯的水解将贵金属簇原位稳定在多孔二氧化硅结构中,除去有机物并经氢气还原,得到二氧化硅稳定的贵金属簇,调节配体、稳定剂和反应条件可以方便的制备多孔二氧化硅稳定的Au、Ag、Pt、Pd和双贵金属复合的贵金属簇荧光材料。由于二氧化硅是化学和电子惰性的,因而使贵金属簇显现出其本征荧光特性。此方法得到的复合荧光材料荧光性能稳定、化学惰性、生物相容,在荧光成像及传感中具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 多孔 二氧化硅 稳定 贵金属 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔二氧化硅稳定的贵金属簇荧光材料,其特征是:所述荧光材料包括多孔二氧化硅和贵金属簇,所述多孔二氧化硅为不定型氧化硅,比表面积为80 m2/g-150 m2/g,孔径为0.5 nm-5 nm,粒径为10 nm-100 nm,所述贵金属簇选自Au簇、Ag簇、Pt簇、Pd簇或任意两种贵金属的复合簇,贵金属簇的粒径为0.5 nm-5 nm,均匀分散、稳定在多孔氧化硅结构中。
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