[发明专利]一种改进的高热导率电子封装材料制备方法无效
| 申请号： | 201210192283.5 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102701741A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐亚红 | 申请（专利权）人： | 徐亚红 |
| 主分类号： | C04B35/52 | 分类号： | C04B35/52;C04B35/64;C04B35/63;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 312500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改进的高热导率电子封装材料制备方法，包括下述步骤：1)选择金刚石和硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；2)将上述组分充分混合均匀后；3)选择φ20mm的石墨模具，将上述混合物装入石墨容器并放入放电等离子烧结炉；4)在放电等离子烧结炉抽真空，当真空度达到12～15Pa以下开始快速烧结；5）烧结过程中所加压力为35～39MPa，升温速度为80～120℃/分钟，烧结温度设定为1280～1320℃，达到烧结温度后保持4～5分钟，并在真空或惰性气体环境下烧结；6)烧结结束后对产品进行随炉冷却并在900-950℃时卸掉压力。其具有设备和工艺简单、合成温度低，并且最大程度地提高产品致密度、减少产品微裂纹，产品的综合性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 高热 电子 封装 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的高热导率电子封装材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤： 1)选择粒度为18～23μm的金刚石，粒度为40～45μm、纯度在99. 99%的硅粉作为初始材料，并且添加钛粉和氮化铝作为烧结促进剂；金刚石、硅粉、钛粉、氮化铝的重量份数比为19.6～30.4：27.2～33.3：0.53～0.93：0.5~1.3；2)将上述组分充分混合均匀后；3)选择φ20 mm的石墨模具，将上述混合物装入石墨容器并放入放电等离子烧结炉； 4)在放电等离子烧结炉抽真空，当真空度达到12~15Pa以下开始快速烧结；5）烧结过程中所加压力为35～39MPa，升温速度为80~120℃/分钟，烧结温度设定为1280～1320℃，达到烧结温度后保持4‑5分钟，并在真空或惰性气体环境下烧结； 6)烧结结束后对产品进行随炉冷却并在900‑950℃时卸掉压力，得到产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐亚红，未经徐亚红许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210192283.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
