[发明专利]一种制备垂直硅基三维结构的方法有效
| 申请号： | 201210181085.9 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103451654B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉荣;秦瑞平;杨海刚;马淑红;边长贤;胡晓锋;宋桂林;常方高 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/24 |
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| 地址： | 453007*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种制备垂直硅基三维结构的方法，属于湿法化学腐蚀制备三维结构领域，特点是在较低温度下采用化学腐蚀的方法制备硅垂直三维结构，与传统湿法化学方法制备三维结构相比，实用性强，很好地解决了各种形状三维结构的陡直性问题，不受图形形状和晶向的限制。在微传感器和集成电路制造等领域具有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 三维结构 硅基三维结构 垂直 集成电路制造 湿法化学腐蚀 传统湿法 化学腐蚀 图形形状 微传感器 陡直性 晶向 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备垂直硅基三维结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)光刻硅片，利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻，获得周期性图形区；(2)配置腐蚀液：HF溶液与AgNO3摩尔浓度比5∶0.02；AgNO3 溶液浓度在0.01‑0.025mol/L范围内调节；(3)腐蚀：将经过常规RCA清洗后的光刻硅片放入在高压反应釜中，溶液体积达到总容量的80％，在合适温度下腐蚀一定的时间；(4)后处理：腐蚀结束后的硅片经去离子水冲洗后在质量比为10wt％HF的溶液中浸泡1分钟，取出硅片去离子水冲洗后放入质量比为10wt％的KOH溶液中浸泡5‑20分钟，去离子水冲洗后烘干；经上述步骤后可得到垂直的硅三维结构；步骤(4)中用碱性腐蚀液去除图形区硅纳米线，留下侧壁陡直的未被腐蚀区。
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