[发明专利]一种室温隧道各向异性磁电阻器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210181003.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102709466A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宋成;王钰言;潘峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种室温隧道各向异性磁电阻器件及其制备方法。该器件结构依次包括：基片、底电极、铁磁层（FM）、反铁磁层、隧穿层和顶电极；其中，铁磁层为由垂直磁化膜构成，包括垂直磁化的[Co/Pt]n、[Co/Pd]n、[Co/Ni]n多层膜（n=1~10），铁磁层中Co的厚度为0.3nm~0.8nm，Pt、Pd、Ni的厚度为0.8nm~1.5nm；反铁磁层由Mn系合金构成，厚度为2nm~6nm；隧穿层为MgO或Al2O3，厚度为1.5nm~2.5nm。本发明利用隧穿层一侧的垂直磁化的铁磁层与反铁磁层的交换耦合作用制备磁电阻器件，实现室温TAMR效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 隧道 各向异性 磁电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种室温隧道各向异性磁电阻器件，其结构依次包括：基片、底电极、铁磁层、反铁磁层、隧穿层和顶电极；其中，所述铁磁层由垂直磁化膜构成，所述反铁磁层由Mn系合金构成。
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