[发明专利]测量方法有效
| 申请号： | 201210174109.8 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456654A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 伍强;刘畅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测量方法，包括：将表面形成有光刻胶层的晶圆置于检测台上，所述光刻胶层上形成有光刻胶图案；通过扫描电镜对晶圆上待测图案的线宽进行两次测量，并将第一次测量的测量数据记为第一测量数据、将第二次测量的测量数据记为第二测量数据；判断第一测量数据是否在第一参考值范围内以及第二测量数据是否在第二参考值范围内，并在第一测量数据、第二测量数据分别在第一参考值范围、第二参考值范围内时，将第一测量数据与第二测量数据进行比较，获取测量结果。本发明测量方法在获取晶圆上光刻胶图案线宽的同时能够确定光刻胶图案的形状，提高了测量的准确性和有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 测量方法 | ||
【主权项】：
一种测量方法，其特征在于，包括：将表面形成有光刻胶层的晶圆置于检测台上，所述光刻胶层上形成有光刻胶图案；通过扫描电镜对晶圆上待测图案的线宽进行两次测量，并将第一次测量的测量数据记为第一测量数据、将第二次测量的测量数据记为第二测量数据；判断第一测量数据是否在第一参考值范围内以及第二测量数据是否在第二参考值范围内，并在第一测量数据、第二测量数据分别在第一参考值范围、第二参考值范围内时，将第一测量数据与第二测量数据进行比较，获取测量结果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
