[发明专利]碲化镉‑硅基薄膜复合太阳能电池有效
申请号: | 201210165802.9 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102751373B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 刘生忠;李灿 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学;中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/075;H01L31/073 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司61201 | 代理人: | 申忠才 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种碲化镉‑硅基薄膜复合太阳能电池,包括设置在基底上表面背电极,设置在背电极上表面的底电池结,设置在底电池结上表面的前电极,它还包括设置在底电池结上表面的0~5结中电池结,中电池结上表面设置与底电池结和中电池结串联的顶电池结,前电极设置在顶电池结的上表面,还包括设置在底电池结与中电池结之间或设置在中电池结与顶电池结之间的中间导电半反光层。本发明具有太阳能转换效率高、热效率高、生产成本低、便于携带等优点,可作为太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 复合 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种碲化镉‑硅基薄膜复合太阳能电池,由下述零部件连接组成:在基底(7)上表面设置有背电极(6),背电极(6)上表面设置有底电池结(5),底电池结(5)由p‑型碲化镉薄膜、n‑型硫化镉‑硫化锌合金薄膜构成,其中通式为CdxZn1‑xS,式中x为0.5,p‑型碲化镉薄膜设置在背电极(6)上表面,n‑型硫化镉‑硫化锌合金薄膜设置在p‑型碲化镉薄膜上表面,底电池结(5)上表面设置有0~5结中电池结(3),中电池结(3)上表面设置与底电池结(5)和中电池结(3)串联的顶电池结(2),顶电池结(2)的上表面设置有前电极(1),在底电池结(5)与中电池结(3)之间和/或在中电池结(3)与顶电池结(2)之间设置有中间导电半反光层(4),其特征在于:所述的基底(7)是厚度不超过2mm的表面镀有金属薄膜的高分子材料基底,高分子材料为聚酰亚胺、聚氟乙烯、密度>1.55g/cm3的聚氯乙烯中的任意一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的