[发明专利]偏压温度不稳定性的检测电路及检测方法

摘要

一种偏压温度不稳定性的检测电路及检测方法，所述偏压温度不稳定性的检测电路包括：奇数个基本振荡单元，所述基本振荡单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一控制晶体管、第二控制晶体管、输入端、输出端；位于所述相邻的基本振荡单元之间的第三晶体管，所述基本振荡单元和第三晶体管串联形成环形振荡器。利用本发明实施例的偏压温度不稳定性的检测电路，可以分别检测PMOS晶体管因为负偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度和NMOS晶体管因为正偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度，且利用第三晶体管，可以放大MOS晶体管因为偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度，使得最终的检测结果更灵敏，检测的精度较高。

主权项

一种偏压温度不稳定性的检测电路，其特征在于，包括：奇数个基本振荡单元，所述基本振荡单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一控制晶体管、第二控制晶体管、输入端、输出端，所述第一晶体管、第一控制晶体管的沟道区的类型与第二晶体管、第二控制晶体管的沟道区的类型相反；所述第一晶体管和第二晶体管的栅极与输入端相连接，所述第一控制晶体管和第二控制晶体管的栅极与控制电压端电学连接，所述第一晶体管的第一端、第一控制晶体管的第一端与第一电压端电学连接，所述第一晶体管的第二端、第一控制晶体管的第二端与输出端电学连接，所述第二晶体管的第一端与第二电压端电学连接，所述第二晶体管的第二端与第二控制晶体管的第一端电学连接，所述第二控制晶体管的第二端与输出端电学连接；位于所述相邻的基本振荡单元之间的第三晶体管，所述第三晶体管的栅极与第三电压端电学连接，所述第三晶体管的第一端与其中一个基本振荡单元的输出端电学连接，所述第三晶体管的第二端与另一个基本振荡单元的输入端电学连接，所述基本振荡单元和第三晶体管串联形成环形振荡器。