[发明专利]太阳能电池硅片的磷扩散工艺无效
| 申请号： | 201210162563.1 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102719894A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈剑锋;陆宁 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/18 | 分类号： | C30B31/18;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213169 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池硅片的磷扩散工艺，先以变温(750-800℃)预沉积一层薄且均匀的P2O5，然后再以变温（800-850℃）进行推进的两步扩散法，其中低温淀积可以降低硅片表面的浓度，减少死层，降低了暗电流，低温情况下也更好的降低热损伤，减少热缺陷，开压Uoc比常规工艺高2-4mv；同时高温差（50-80℃）推进可以进一步提高了P的活性，使之产生更多的载流子，形成更加优质的PN结，使Uoc、Isc都大大提高，从而电池的光转换效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 硅片 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池硅片的磷扩散工艺，其特征在于包括以下步骤：1）把制绒好的硅片放进扩散炉管中，将炉管温度升到730‑790℃，升温时间600‑700s，并同时通入氧气10000‑15000ml；2）保持炉管中730‑790℃温度不变，保持时间600‑1200s，通入氧气5000‑10000ml；3）变温预淀积，将温度从730‑790℃范围，以一定的升温速率上升到770‑830℃范围，时间为720‑1200s；4）主扩散，变温推进，温度从770‑830℃范围以一定升温速率上升到830‑850℃范围，时间为360‑600s；5）降温，以一定降温速率将炉管内的温度降到750‑810℃范围，氮气为15000‑25000ml，时间为720‑1200s；6）推舟，氮气为10000‑15000ml，时间300‑600s。
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