[发明专利]测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法有效
| 申请号： | 201210147751.7 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102707214A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;冯东明;叶新民;乐海波;孙岩;陈晓伦 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。本发明三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 分立 器件 三极管 芯片 正向 饱和 方法 | ||
【主权项】：
一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，所述方法是在三极管芯片（1）正面的基区（2）扎一根基区输入电流探针（21）与一根基区反馈电压探针（22），所述基区输入电流探针（21）与基区反馈电压探针（22）分别连接测试仪的基区输入电流线（23）和基区反馈电压线（24）；在三极管芯片（1）正面的发射区（3）扎一根发射区输入电流探针（31）与一根发射区反馈电压探针（32），所述发射区输入电流探针（31）与发射区反馈电压探针（32）分别连接测试仪的发射区输入电流线（33）和发射区反馈电压线（34）；其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。
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