[发明专利]测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，属于分立器件芯片制造技术领域。

背景技术

分立器件三极管芯片正向与饱和压降一根直以来都没有一个有效的方式进行准确监控。随着市场对产品质量的要求越来越高，对影响产品质量的关键参数正向与饱和压降进行精确监控就越发显得重要。

参见图1和图2，传统的测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法是在三极管芯片1正面的基区（B）2扎一根基区输入电流探针21与一根基区反馈电压探针22，所述基区输入电流探针21与基区反馈电压探针22分别连接测试仪的基区输入电流线23和基区反馈电压线24；在三极管芯片1正面的发射区（E）3扎一根发射区输入电流探针31与一根发射区反馈电压探针32，所述发射区输入电流探针31与发射区反馈电压探针32分别连接测试仪的发射区输入电流线33和发射区反馈电压线34；在三极管芯片1下面的金属承片台盘4上连接测试仪的集电极输入电流线41和集电极反馈电压线52，打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。

传统的三极管芯片正面的基区（B）与发射区（E）的输入电流线与反馈电压线分开，但是三极管芯片背面的集电极的输入电流线与反馈电压线都是从三极管芯片下方的金属承片台盘上引出的，输入电流线与反馈电压线无法分开，从而使得分立器件三极管芯片无法实现全方位开尔文测试，芯片背面金属层与金属承片台的接触电阻，影响分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种能将三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，使得三极管芯片能实现全方位开尔文测试，有效的规避芯片背面金属层与金属承片台盘接触电阻所带来的负面影响，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降能够得到精准测试的方法。

本发明的目的是这样实现的：

一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，所述方法是在三极管芯片正面的基区扎一根基区输入电流探针与一根基区反馈电压探针，所述基区输入电流探针与基区反馈电压探针分别连接测试仪的基区输入电流线和基区反馈电压线；在三极管芯片正面的发射区扎一根发射区输入电流探针与一根发射区反馈电压探针，所述发射区输入电流探针与发射区反馈电压探针分别连接测试仪的发射区输入电流线和发射区反馈电压线；在三极管芯片下面的金属承片台盘上连接测试仪的集电极输入电流线，在三极管芯片外围的划片槽扎一根集电极反馈电压探针，所述集电极反馈电压探针连接测试仪的集电极反馈电压线，打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

划片槽与三极管芯片背面的金属层相通，本发明就是利用这一点优势，通过在芯片正面划片槽扎反馈电压探针将集电极反馈电压线从承片台移置芯片正面，集电极输入电流线依然连接金属承片台盘与三极管芯片背面的金属层相连，使三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线也能分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，有效的规避芯片背面金属层与金属承片台盘接触电阻所带来的负面影响，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试。

附图说明

图1为传统测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法的芯片测试状态俯视图。

图2为传统测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法的芯片测试状态正视图。

图3为本发明测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法的芯片测试状态俯视图。

图4为本发明测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法的芯片测试状态正视图。

其中：

三极管芯片1

基区2

基区输入电流探针21

基区反馈电压探针22

基区输入电流线23

基区反馈电压线24

发射区3

发射区输入电流探针31

发射区反馈电压探针32

发射区输入电流线33

发射区反馈电压线34

金属承片台盘4

集电极输入电流线41

划片槽5

集电极反馈电压探针51

集电极反馈电压线52。

具体实施方式

参见图3和图4，一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，所述方法是在三极管芯片1正面的基区（B）2扎一根基区输入电流探针21与一根基区反馈电压探针22，所述基区输入电流探针21与基区反馈电压探针22分别连接测试仪的基区输入电流线23和基区反馈电压线24；在三极管芯片1正面的发射区（E）3扎一根发射区输入电流探针31与一根发射区反馈电压探针32，所述发射区输入电流探针31与发射区反馈电压探针32分别连接测试仪的发射区输入电流线33和发射区反馈电压线34；在三极管芯片1下面的金属承片台盘4上连接测试仪的集电极输入电流线41，在三极管芯片1外围的划片槽5扎一根集电极反馈电压探针51，所述集电极反馈电压探针51连接测试仪的集电极反馈电压线52，打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。