[发明专利]一种改善背钝化太阳电池填充性能的烧结方法有效
申请号: | 201210140670.4 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN102709382A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 李中兰;许庭静 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种改善背钝化太阳电池填充性能的烧结方法,具体的烧结步骤如下:(1)浆料烘干:太阳电池片由正面的Ag浆朝上放置进入烧结炉进行浆料烘干;(2)翻转和Al烧结:升温到500~550℃时将太阳电池片翻转,使太阳电池片背面的Al浆朝上放置进入烧结炉进行Al烧结;(3)二次翻转和Ag烧结:烧结炉温度升至750~780℃时,再次将太阳电池片翻转,使太阳电池片正面的Ag浆朝上放置,进行Ag烧结;(4)快速降温:时间0.5~1min内降温。本发明可改善背面Al浆的烧结性能,同时保证正面发射极不受污染,减小空洞的产生,可使电池的填充因子提高0.5%-1%,效率提升0.1-0.3%。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 钝化 太阳电池 填充 性能 烧结 方法 | ||
【主权项】:
一种改善背钝化太阳电池填充性能的烧结方法,其特征在于:具体的烧结步骤如下:(1)浆料烘干:印刷有Al浆和Ag浆的太阳电池片由正面的Ag浆朝上放置进入烧结炉,经第一温度区进行浆料烘干,烘干温度为200~400℃,时间为30~50s;(2)翻转和Al烧结:太阳电池片经过升温区,升温时间15~25s升温到500~550℃时将太阳电池片翻转,使太阳电池片背面的Al浆朝上放置进入烧结炉进行Al烧结,Al烧结时间20~30s,Al烧结温度为550~750℃,此段烧结区的炉带采用石英炉带;(3)二次翻转和Ag烧结:烧结炉温度升至750~780℃时,再次将太阳电池片翻转,使太阳电池片正面的Ag浆朝上放置,进行Ag烧结;在Ag烧结区,温度继续升高至900℃左右,Ag烧结时间为20~30s;(4)快速降温:时间0.5~1min内降温,烧结工艺完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210140670.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:纯铜板的制造方法及纯铜板
- 下一篇:两级锥形内摆线传动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的