[发明专利]原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210139464.1 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102650065A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘晓磊 | 申请（专利权）人： | 淄博职业学院 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;C25D11/24 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255314 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于有机－无机复合材料技术领域，涉及一种原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法。该薄膜是先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的杯芳烃插层水滑石薄膜；杯芳烃插层水滑石薄膜的化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CMCS44-)x/4·mH2O；其中0.25≤x≤0.33，m＝3~6为层间结晶水分子数，M2+为二价金属离子Ni2+、Zn2+、Co2+或Mg2+；M3+为三价金属离子Al3+；CMCS为O(1)，O(2)，O(3)，O(4)-四羧甲基杯[4]芳烃。本发明利用原位生长技术，可以将具有独特包合性能的杯芳烃组装进入水滑石层间，实现杯芳烃的固定化和水滑石的功能化，制备的杯芳烃插层水滑石膜，与基底的作用力较强，不易脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 基底 芳烃 插层水 滑石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜，其特征在于：先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的杯芳烃插层水滑石薄膜；杯芳烃插层水滑石薄膜的化学式为：[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(CMCS44‑)x/4·mH2O；其中0.25≤x≤0.33，m＝3~6为层间结晶水分子数，M2+为二价金属离子Zn2+、Ni2+、Co2+或Mg2+；M3+为三价金属离子Al3+；CMCS为O(1)，O(2)，O(3)，O(4)‑四羧甲基杯[4]芳烃。
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