[发明专利]一种太阳电池光吸收层Cu2O纳米薄膜的化学制备工艺无效

专利信息
申请号: 201210136147.4 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN102637777A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 杨培志;自兴发;杨雯;彭柳军;邓双;化麒麟;冷天玖 申请(专利权)人: 云南师范大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 昆明慧翔专利事务所 53112 代理人: 邓丽春;程韵波
地址: 650031 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供了一种太阳电池光吸收层Cu2O纳米薄膜的化学制备工艺,属于光伏电池技术领域,通过电化学沉积制备工艺制备出纳米级Cu2O,使其光生载流子的平均扩散时间就会减小到1/102~1/106,复合几率大大减小,从而提高太阳光的利用率,采用以下技术手段:具体步骤包括:A、RF射频磁控溅射沉积氧化锌(ZnO)层制备前驱体;B、电化学沉积氧化亚铜(Cu2O)薄膜;C、氧化亚铜(Cu2O)薄膜样品退火处理。
搜索关键词: 一种 太阳电池 光吸收 cu sub 纳米 薄膜 化学 制备 工艺
【主权项】:
一种太阳电池光吸收层Cu2O纳米薄膜的化学制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:A、RF射频磁控溅射沉积氧化锌层制备前驱体:将氧化铟锡导电玻璃基底先用洗涤剂进行清洗,再采用丙酮超声清洗,后用去离水进行清洗,最后在密封干净的干燥箱中烘干;用RF射频磁控溅射在基底溅射氧化锌层制备前驱体;B、电化学沉积氧化亚铜薄膜:配制硫酸铜、乳酸钠的混合液;在混合液加入氢氧化钠,将溶液的pH值调整为12;采用三电极电化学体系,即一个铂金对电极和Ag|AgCl参比电极,用于沉积氧化亚铜薄膜, 制备氧化亚铜薄膜样品;C、氧化亚铜薄膜样品退火处理:将沉积样品置于石英炉内,往石英炉内充入氮气,按一定的速度梯度将样品加热至恒温,并维持一段时间,最后取出样品自然冷却至室温。
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