[发明专利]基于微动元调制 GaN HEMT 沟道电流的红外探测器有效
| 申请号： | 201210130399.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102636261A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 朱彦旭;曹伟伟;郭伟玲;徐晨 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微动 调制 gan hemt 沟道 电流 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器，其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。
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