[发明专利]纳米级图案化蓝宝石衬底的全湿化学制备方法有效
申请号: | 201210124026.8 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102646764A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 严清峰;耿翀;沈德忠 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C30B33/10;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米级图案化蓝宝石衬底的全湿化学制备方法,该方法包括在蓝宝石衬底上沉积单层胶体晶体薄膜;热处理后,在纳米微球的间隙填充入正硅酸乙酯的溶胶,干燥后在蓝宝石衬底的部分表面形成填充层;移除胶体晶体薄膜;利用该填充层作为一腐蚀掩模并湿法腐蚀该蓝宝石衬底,将纳米球排布所具有的周期性图案转移到衬底上;移除该腐蚀掩模,得到带有纳米级图案的蓝宝石衬底。本发明的优点在于,整个过程不借助任何半导体工艺设备,在普通化学实验室即可全部完成。这种具有纳米级图案化的蓝宝石衬底能够有效地降低芯片中的位错密度,提高外延材料晶体质量,并且增加了光从蓝宝石衬底出射的几率,从而提升LED的光提取效率。 | ||
搜索关键词: | 纳米 图案 蓝宝石 衬底 化学 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米级图案化蓝宝石衬底的全湿化学制备方法,包括下述步骤:(1)在蓝宝石衬底上沉积单层纳米微球胶体晶体薄膜,然后90‑105℃下进行热处理,热处理时间为1‑25min;(2)在单层纳米微球胶体晶体薄膜纳米球的间隙填充入正硅酸乙酯的溶胶,干燥后在蓝宝石衬底与组成单层纳米微球胶体晶体薄膜的纳米微球间隙形成填充层;(3)移除单层纳米微球胶体晶体薄膜;(4)利用填充层作为掩模湿法腐蚀该蓝宝石衬底,将纳米球的排列图案转移到蓝宝石衬底上;(5)移除腐蚀掩模,得到带有纳米级图案的蓝宝石衬底。
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