[发明专利]硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基微显示器的有机电致发光器件制备方法。其工艺步骤如下：1、在平坦化的硅基衬底上制备绝缘层；2、对所述绝缘层进行干法刻蚀，露出像素区，同时刻蚀后的绝缘层截面为倒梯形截面；3、制备具有光反射特性的像素电极，所述像素电极的厚度低于绝缘层厚度，从而使得像素与非像素区域被互相隔开；4、依次制备空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电极注入层，其总厚度应高于非发光区的边缘高度，避免OLED器件的电极短路发生；5、制备OLED的透明或半透明阴极共电极。本发明采用全干法刻蚀工艺实现像素电极，可避免返回集成电路半导体工艺时带来的污染问题和精度问题；通过控制绝缘层的厚度来使像素之间互相隔离，使得OLED制备无需增添掩膜板，具有工艺简单、提高良率的优点。

主权项

一种硅基微显示器的有机发光器件制备方法，其特征在于：具体制备工艺步骤如下：（1）在平坦化的硅基衬底上制备绝缘层；（2）对所述绝缘层进行干法刻蚀，露出像素区，同时刻蚀后的绝缘层截面为倒梯形截面；（3）在步骤（2）所制备的硅衬底上制备具有光反射特性的像素电极，所述像素电极的厚度低于绝缘层厚度，从而使得像素与非像素区域被互相隔开；（4）蒸发有机发光层，其厚度高于非发光区的边缘高度；（5）制备OLED的半透明或透明阴极共电极。